English  |  正體中文  |  简体中文  |  Items with full text/Total items : 43312/67235
Visitors : 2020616      Online Users : 2
RC Version 5.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU/NCHU Library IR team.
National Chung Hsing University Institutional Repository - NCHUIR > 理學院 > 奈米科學研究所 > 依資料類型分類 > 碩博士論文 >  新型P通道側壁耦合閘極多次寫入非揮發性記憶體

Please use this identifier to cite or link to this item: http://nchuir.lib.nchu.edu.tw/handle/309270000/152994

標題: 新型P通道側壁耦合閘極多次寫入非揮發性記憶體
A New P-Channel Spacer Coupling Gate Multi-time Programmable Non-Volatile Memory Cell
作者: 郭原彰
Kuo, Yuan-chang
Contributors: 孫允武
Yuen-Wu Suen
奈米科學研究所
關鍵字: P通道;快閃記憶體;耦合閘極
P-Channel;Flash;NVM;memory;BBHE
日期: 2013
Issue Date: 2013-11-18 11:43:03 (UTC+8)
Publisher: 奈米科學研究所
摘要: 隨著可攜式電子產品的蓬勃發展,內嵌式非揮發性記憶體的市場需求量大增,內嵌式非揮發性記憶體的開發逐漸受大家重視,其中,單一複晶矽浮動閘極非揮發性記憶體目前為市場的主流,然而,目前已發展的單一複晶矽閘極非揮發性記憶體具有著元件微縮上的困難與限制,導致在元件微縮上會有成本與技術受到許多限制。本論文提出一新型側壁耦合閘極多次寫入非揮發性記憶體,在標準邏輯製程下,藉由側壁耦合閘極結構來提升耦合閘極元件微縮能力。
新型P通道側壁耦合閘極多次寫入非揮發性記憶體採用單一複晶矽閘極架構,寫入操作以帶對帶穿隧引發熱電子注入, 與利用Fowler-Nordheim 穿遂效應進行抹除操作,可以多次性寫入與抹除。此新型元件可在50μs 內完成寫入操作,抹除時間則為150ms,再者元件的耐久度可達1000 次循環測試,資料保存性在125℃ 下達1000 小時以上的考驗。
基於此側壁耦合閘極的特殊結構,是在一個儲存位元結構中有兩處位置得以儲存Data,相對於浮動閘極技術而言,僅單單可以在一個儲存位元結構中儲存單一的Data。此結構有著極小的細胞尺寸,很適合應用於高密度的記憶體陣列。此新型元件擁有良好的操作特性與資料可靠度,與極小的細胞尺寸,提供內嵌式非揮發性記憶體一個新的選擇與應用。
Appears in Collections:[依資料類型分類] 碩博士論文

Files in This Item:

File SizeFormat
index.html0KbHTML167View/Open


 


學術資源

著作權聲明

本網站為收錄中興大學學術著作及學術產出,已積極向著作權人取得全文授權,並盡力防止侵害著作權人之權益。如仍發現本網站之數位內容有侵害著作權人權益情事者,請權利人通知本網站維護人員,將盡速為您處理。

本網站之數位內容為國立中興大學所收錄之機構典藏,無償提供學術研究與公眾教育等公益性使用。

聯絡網站維護人員:wyhuang@nchu.edu.tw,04-22840290 # 412。

DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU/NCHU Library IR team Copyright ©   - Feedback