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National Chung Hsing University Institutional Repository - NCHUIR > 理學院 > 奈米科學研究所 > 依資料類型分類 > 碩博士論文 >  氧化銦錫電流展開層蝕洞對於藍光二極體出光效率影響之研究

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標題: 氧化銦錫電流展開層蝕洞對於藍光二極體出光效率影響之研究
Influence of embedded voids in indium tin oxide current spreading layer on the light extraction efficiency of a blue LED
作者: 陳奕錦
Chen, Yi-Chin
Contributors: 龔志榮
Jyh-Rong Gong
奈米科學研究所
關鍵字: 氧化銦錫;透明導電層
ITO;Transparent conductive layer
日期: 2013
Issue Date: 2013-11-18 11:43:07 (UTC+8)
Publisher: 奈米科學研究所
摘要: 本論文探討藍光二極體之氧化銦錫(ITO)透明導電薄膜內部蝕洞對藍光二極體元件影響之研究。
本實驗是以電子束蒸鍍法(Electron beam evaporation)生長250nm厚的ITO薄膜藍光LED(波長:470nm)之p-GaN層上,並且在ITO上蝕刻不同直徑蝕洞來做比較,分別是6μm、8μm、10μm、12μm。ITO經蝕刻後LED與ITO未經蝕刻之LED就順向電壓及藍光輸出功率進行比較。實驗結果藍光LED在20mA條件下,ITO經蝕刻之LED藍光輸出功率分別為9.14mW、9.14mW、9.17mW、9.14mW,ITO未經蝕刻之LED的光輸出功率為8.97mW。可見光在ITO置入蝕洞之LED藍光輸出功率可增加1.9%~2.2%,光輸出功率增加歸因於配置蝕洞之ITO透明導電薄膜因表面粗化影響而具有較高的出光效率。
It this thesis, the influence of etched holes embedded in the indium tin oxide (ITO) transparent conductive layer on the performance of a blue LED is investigated.
In this experiment, electron beam evaporation was employed to 250nm-thick ITO thin film on a 470nm GaN-based LED. Photo mask having various holes patterns of 0μm,6μm,8μm,10μm,12μm, respectively, were used to develop etched holes in the ITO layer of the LED.
It was found that the light extraction efficiency of a blue LED can be enhanced by etched holes embedded in the ITO layer of the LED.
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