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National Chung Hsing University Institutional Repository - NCHUIR > 理學院 > 奈米科學研究所 > 依資料類型分類 > 期刊論文 >  (Applied Physics Letters, 81:3007-3009)Self-assembled GaAs antiwires in In0.53Ga0.47As matrix on (100) InP substrates

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標題: (Applied Physics Letters, 81:3007-3009)Self-assembled GaAs antiwires in In0.53Ga0.47As matrix on (100) InP substrates
作者: S. D. Lin;C. P. Lee;W. H. Hsieh;Y. W. Suen
Contributors: 孫允武
Yun-wu sun
國立中興大學奈米科學研究所
關鍵字: gallium arsenide;semiconductor quantum wires;self-assembly;indium compounds;two-dimensional electron gas;electron mobility;III-V semiconductors;semiconductor growth;molecular beam epitaxial growth;atomic force microscopy
日期: 2002
Issue Date: 2010-03-31 11:45:51 (UTC+8)
Publisher: USA:American Institute of Physics
Relation: Applied Physics Letters 81:3007
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